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LEI Model2017B,通过汞探针接触方法,对各类半导体材料的载流子浓度分布进行测试,特别适合GaN.SiC等化合物材料。
汞颁痴测试系统,用于对外延或前道工艺中的non-pattemed晶片做汞C-V测试; MCV-530L可测最大200mm的样品。
CV-1500,用于测试界面和介电层的科研平台,基于SDI Corona-Kelvin技术,可以进行非接触C-V/I-V测试。
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